MIH: Resumen del tipo

Tipo de ítem DDR2 PC2 6400

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JERARQUÍA TIPOS ATRIBUTO VALOR ASIGNADOR
Ítem lógico año de comercialización 1947 Memoria RAM
Componentes (*) Ítem lógico Ítem lógico
Descripción
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Memoria RAM
Hardware No existen atributos públicos
Memoria RAM Capacidad 2Gb DDR2 PC2 6400
Tipo conector DDR2 DDR2 PC2 6400
DDR2 PC2 6400 No existen atributos propios

Descripción

La memoria principal o primaria es un dispositivo que retiene, memoriza o almacena datos informáticos durante algún periodo de tiempo. La memoria proporciona una de las principales funciones de la computación clásica y moderna: el almacenamiento de datos. Tambien se llama memoria interna ya que historicamente siempre se encuentra dentro del ordenador, a diferencia de muchos dispositivos de memoria secundaria.

Existe de dos tipos principales, no volatil (ej. ROM, PROM, EPROM, y EEPROM), y volátil (ej. de memoria volátil de acceso aleatorio o RAM, son SRAM y DRAM).

Historicamente, podemos enumerar:

  • A principios de la década de 1940, la tecnología permitía unicamente una capacidad de unos pocos bytes de memoria. Por ejemplo, el ENIAC (1945), el primer ordenador digital electrónico programable, podía realizar cálculos simples con 20 números de diez dígitos decimales almacenados en tubos de vacío.

  • El siguiente avance significativo se produjo con la memoria (acústica) de línea de retardo, desarrollada a principios de la década de 1940, dispositivo capaz de almacenar datos aprovechando el tiempo que necesita una señal para propagarse por un medio físico. Las líneas de retardo podrían almacenar bits de información en forma de ondas sonoras que se propagan a través de un tubo de vidrio lleno de mercurio, con cristales de cuarzo en ambos extremos actuando como transductores para leer y escribir bits. La capacidad de cada línea de retardo depende de la velocidad de propagación de una onda en el medio físico que constituye la memoria, del tamaño o duración de cada bit y de la longitud de la línea de retardo, pudiendo llegar a almacenar unos pocos miles de bits.

  • En 1946 surgieron dos alternativas a la línea de retardo, el tubo Williams y el tubo Selectron, y ambos utilizaban haces de electrones en tubos de vidrio como medio de almacenamiento. Utilizando tubos de rayos catódicos, Fred Williams inventó el tubo Williams, que fue la primera memoria de computadora de acceso aleatorio (RAM). El tubo Williams podía almacenar más información que el tubo Selectron (que estaba limitado a 256 bits, mientras que el tubo Williams podía almacenar miles) y era menos costoso, aunque era demasiado sensible a las perturbaciones ambientales.

  • Desarrollado desde finales de los años 40, la memoria (magnética) de nucleos de ferrita se comercializó con el ordenador Whirlwind I en 1953. La memoria de núcleos de ferrita fue la forma predominante de memoria de ordenador de acceso aleatorio durante 20 años, desde entonces hasta los años 70, cuando se impuso de forma general la memoria basada en transistores (semiconductores) MOS, desarrolada en 1964.
    Esta memoria utiliza toroides (anillos) de un material magnético duro (generalmente ferrita). Por cada núcleo pasan dos o más cables. La histéresis magnética permite que cada uno de los núcleos "recuerde" o almacene un estado. El valor del bit almacenado en un núcleo es cero o uno según la dirección de magnetización de ese núcleo (sentido de las agujas del reloj o viceversa). Al no ser leídos ni escritos, los núcleos mantienen el último valor que tenían, incluso si se corta la alimentación; por tanto, son también un tipo de memoria no volátil.

  • La primera memoria semiconductora se implementó como un circuito flip-flop a principios de la década de 1960 utilizando transistores bipolares. La memoria semiconductora fabricada a partir de dispositivos discretos fue enviada por primera vez por Texas Instruments a la Fuerza Aérea de los Estados Unidos en 1961. El mismo año, Fairchild Semiconductor propuso el concepto de memoria de estado sólido en un chip de circuito integrado (IC). El primer chip de memoria semiconductor bipolar fue el SP95 introducido por IBM en 1965. Si bien la memoria semiconductora ofrecía un mejor rendimiento en comparación con la memoria de núcleos de ferrita, siguió siendo más grande y más cara y no desplazó a la memoria de núcleos de ferrita hasta finales de la década de 1960.


La memoria principal o primaria es un dispositivo que retiene, memoriza o almacena datos informáticos durante algún periodo de tiempo. La memoria proporciona una de las principales funciones de la computación clásica y moderna: el almacenamiento de datos. Tambien se llama memoria interna ya que historicamente siempre se encuentra dentro del ordenador, a diferencia de muchos dispositivos de memoria secundaria. Existe de dos tipos principales, no volatil (ej. ROM, PROM, EPROM, y EEPROM), y volátil (ej. de memoria volátil de acceso aleatorio o RAM, son SRAM y DRAM). Historicamente, podemos enumerar:
  • A principios de la década de 1940, la tecnología permitía unicamente una capacidad de unos pocos bytes de memoria. Por ejemplo, el ENIAC (1945), el primer ordenador digital electrónico programable, podía realizar cálculos simples con 20 números de diez dígitos decimales almacenados en tubos de vacío.
  • El siguiente avance significativo se produjo con la memoria (acústica) de línea de retardo, desarrollada a principios de la década de 1940, dispositivo capaz de almacenar datos aprovechando el tiempo que necesita una señal para propagarse por un medio físico. Las líneas de retardo podrían almacenar bits de información en forma de ondas sonoras que se propagan a través de un tubo de vidrio lleno de mercurio, con cristales de cuarzo en ambos extremos actuando como transductores para leer y escribir bits. La capacidad de cada línea de retardo depende de la velocidad de propagación de una onda en el medio físico que constituye la memoria, del tamaño o duración de cada bit y de la longitud de la línea de retardo, pudiendo llegar a almacenar unos pocos miles de bits.
  • En 1946 surgieron dos alternativas a la línea de retardo, el tubo Williams y el tubo Selectron, y ambos utilizaban haces de electrones en tubos de vidrio como medio de almacenamiento. Utilizando tubos de rayos catódicos, Fred Williams inventó el tubo Williams, que fue la primera memoria de computadora de acceso aleatorio (RAM). El tubo Williams podía almacenar más información que el tubo Selectron (que estaba limitado a 256 bits, mientras que el tubo Williams podía almacenar miles) y era menos costoso, aunque era demasiado sensible a las perturbaciones ambientales.
  • Desarrollado desde finales de los años 40, la memoria (magnética) de nucleos de ferrita se comercializó con el ordenador Whirlwind I en 1953. La memoria de núcleos de ferrita fue la forma predominante de memoria de ordenador de acceso aleatorio durante 20 años, desde entonces hasta los años 70, cuando se impuso de forma general la memoria basada en transistores (semiconductores) MOS, desarrolada en 1964. Esta memoria utiliza toroides (anillos) de un material magnético duro (generalmente ferrita). Por cada núcleo pasan dos o más cables. La histéresis magnética permite que cada uno de los núcleos "recuerde" o almacene un estado. El valor del bit almacenado en un núcleo es cero o uno según la dirección de magnetización de ese núcleo (sentido de las agujas del reloj o viceversa). Al no ser leídos ni escritos, los núcleos mantienen el último valor que tenían, incluso si se corta la alimentación; por tanto, son también un tipo de memoria no volátil.
  • La primera memoria semiconductora se implementó como un circuito flip-flop a principios de la década de 1960 utilizando transistores bipolares. La memoria semiconductora fabricada a partir de dispositivos discretos fue enviada por primera vez por Texas Instruments a la Fuerza Aérea de los Estados Unidos en 1961. El mismo año, Fairchild Semiconductor propuso el concepto de memoria de estado sólido en un chip de circuito integrado (IC). El primer chip de memoria semiconductor bipolar fue el SP95 introducido por IBM en 1965. Si bien la memoria semiconductora ofrecía un mejor rendimiento en comparación con la memoria de núcleos de ferrita, siguió siendo más grande y más cara y no desplazó a la memoria de núcleos de ferrita hasta finales de la década de 1960.

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Última actualización: 09/11/2022

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